半導体シリコン
ICの基盤になるシリコンウェハー。300mmウェハーやSOIウェハーの製品化にもいち早く成功し、世界をリードする半導体シリコンのサプライヤであるグループ会社との太い絆をベースに、高品質の製品を安定供給しています。
300mmシリコンウェハー
世界に先駆けて300mmシリコンウェハーの量産を開始し、市場への安定供給体制を確立しているグループ会社から供給を受け、多様化・高度化する要求にお応えし、高品質製品を安定供給しています。
主な特長
- デザインルール0.13µm以下の最先端デバイスに対応
- 高度な要求に応えるため、さまざまな製品をラインアップ
主な用途
- メモリーデバイス用基板、マイクロプロセッサーデバイス用基板 など
IG-NANAウェハー
高温プロセスから低温プロセスまで幅広いデバイス工程に対応し、高機能と低コストを両立したウェハーです。
主な特長
- BMDを均一かつ高密度に生成でき、ゲッター効果を促進可能
- 表層は、無欠陥層を形成することが可能
- 微細化などの最先端デバイスに対応
- 300mmウェハーへの展開が可能
主な用途
- メモリーデバイス用基板、ロジックデバイス用基板 など
SOIウェハー
Si活性層直下に絶縁酸化膜のある理想的な構造のウェハー。高速LSI、低消費電力LSI、センサー、パワーデバイスおよびMEMSなど、最先端デバイス用材料として適しています。
主な特長
- SOI層の膜厚均一性に優れている
- ポリッシュド･ウェハーと同等のSOI層結晶品質を実現
- 熱酸化膜と同質の埋め込み酸化膜を実現
- 量産安定性に優れている
主な用途
- 高速、低消費電力、低電圧動作のLSI用基板
- システム（System-On-Chip）LSI用基板
- 高温環境下に強いLSI用基板
- 放射線により強いLSI用基板
用途に最適なウェハーを選べます
● SOI層の厚さおよび抵抗率の指定可能
● ベースおよびボンドウェハーの選択可能
● 埋め込み酸化膜厚の指定可能
